Bağış 15 Eylül 2024 – 1 Ekim 2024
Bağış toplama hakkında
kitap ara
kitaplar
Bağış:
55.9% ulaştı
Giriş yap
Giriş yap
giriş yapıldıktan sonra kullanıcılar aşağıdakileri kullanılabilir:
kişisel Tavsiyeler
Telegram botu
indirme geçmişi
E-posta'ya veya Kindle'e gönder
koleksiyon yönetimi
favorilere kaydet
Kişisel
Kitap istekleri
Keşfet
Z-Recommend
Kitap seçimi
En popüler
Kategoriler
Bağış
Destekle
Yüklenilenler
Litera Library
Kağıt kitapları bağış yapın
Basılı kitaplar ekleyin
Search paper books
Benim LITERA Point
Anahtar kelime araması
Main
Anahtar kelime araması
search
1
Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors: Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Springer India
Souvik Mahapatra (eds.)
stress
nbti
δvt
devices
gate
measured
hkmg
degradation
shown
mosfets
evolution
pbti
generation
recovery
δvit
dependence
traps
bti
insulator
measurements
δnit
mahapatra
tstr
eox
chap
electron
exponent
trapping
delay
dciv
shows
reliability
device
discussed
method
measurement
bias
msm
figure
obtained
physics
pdc
temperature
δvht
symposium
impact
parameters
proceedings
activation
fixed
Yıl:
2016
Dil:
english
Dosya:
PDF, 20.69 MB
Etiketleriniz:
0
/
0
english, 2016
1
Bu bağlantıyı
takip edin veya Telegram'da @BotFather botunu arayın
2
Ona /newbot gönder
3
Botunuz için bir ad girin
4
Bot için kullanıcı adını belirtin
5
BotFather'dan gelen son mesajı kopyalayın ve buraya yapıştırın
×
×